机译:金属栅电极对原子层沉积型耐铝合金HFALO / GA2O3晶片型电气性能的影响
机译:GE金属氧化物半导体器件上原子层沉积的ALN缓冲层的高k栅极堆叠的Geox界面层的抑制及高k栅极堆的电性能
机译:Ge金属氧化物半导体器件上的原子层沉积AlN缓冲层抑制GeOx界面层并提高高K栅堆叠的电性能
机译:通过原子层沉积并结合到MO_2 / In_xGa_(1-x)As的高A / III-V界面上的MgO或Al_2O_3薄界面控制层的结构和电学分析(M = Hf Zr,x = 0 0.53)门叠
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:热收支对沉积HfSiO / TiN栅堆叠MOSCAP结构的原子层电学特性的影响
机译:具有原子层沉积al2O3 / pt纳米晶/ al2O3栅堆叠的电可编程可擦除In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储器